公司广受欢迎的插入器 Package-on-Package (插口PoP)平台支持通过非导电糊热压(TCNCP)或质量回流(CUF)的细间距倒装芯片连接. 顶部夹层连接通过热压连接铜芯球(CCB)完成。. 在底部基片和中间体之间的CCB连接允许高速和高密度互连访问中间体安装的设备. 这种高度可靠的封装实现了低单位翘曲使用环氧模复合封装模具之间的两个基片. 顶部插口允许更大的顶部附加灵活性vs. 更严格的通过模具通过(TMV®),并且可以与许多类型的器件(封装存储器、被动式器件、模具等)耦合.).

从底部基片到中间体的紧密螺距连接允许高密度, 大量I/O互连. 中间插件PoP工艺可以利用更细的间距增加模具尺寸,而不增加封装体尺寸 互联 vs. 烟草花叶病毒处理. 冰球突破试玩采用最先进的7纳米硅节点,具有高容量的插孔PoP经验, 以及7纳米以下正在进行的项目. 迄今为止,冰球突破试玩已组装了数亿台设备,为广泛的客户提供了强劲的性能.

特性

  • 10-16 mm body sizes (common); custom body sizes available on request
  • 顶部封装I/O接口灵活的各种顶部连接(模具,无源器件等).)
  • Wafer thinning/handling <100 μm is available
  • 成熟的PoP平台,具有一致的产品性能和可靠性
  • 包装技术在大批量生产中已经建立
  • 堆放 包高度从0开始.55毫米可在各种配置
  • 直接, 在顶部和底部衬底之间的高密度电连接允许更低的延迟和更高的信号速度

  • 低单位翘曲是通过使用EMC封装模具之间的两个基板
  • 顶部插口允许更大的顶部附加灵活性vs. 限制性更强的TMV互连布局
  • 由于插话PoP包装设计, 顶部的插补器可以与许多类型的设备(打包存储器)耦合, 被动者, 死, 等.)
  • 高密度, 大量的I/O互连是通过紧密的CCB间距连接和顶部中间器扇出路由实现的

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